美國(guó)專利商標(biāo)局公布半導(dǎo)體技術(shù)試點(diǎn)項(xiàng)目
為了鼓勵(lì)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的研究、開發(fā)和創(chuàng)新，美國(guó)專利商標(biāo)局（USPTO）宣布了一項(xiàng)新的半導(dǎo)體技術(shù)試點(diǎn)計(jì)劃，該計(jì)劃于2023年12月1日開始接受申請(qǐng)，并持續(xù)至2024年12月2日。
根據(jù)美國(guó)專利商標(biāo)局公布的信息，半導(dǎo)體技術(shù)試點(diǎn)計(jì)劃“通過加快對(duì)增加半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)量、降低半導(dǎo)體制造成本和加強(qiáng)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的創(chuàng)新專利申請(qǐng)的審查”來支持《2022芯片法案》（CHIPS）。
半導(dǎo)體技術(shù)試點(diǎn)計(jì)劃將加快對(duì)包含至少一項(xiàng)權(quán)利要求的專利申請(qǐng)的審查，該權(quán)利要求需要涵蓋用于制造半導(dǎo)體器件制造中使用的工藝或設(shè)備，且需要對(duì)應(yīng)CPC分類中的一個(gè)或多個(gè)技術(shù)概念，即H10（半導(dǎo)體設(shè)備；未另行規(guī)定的電氣固態(tài)器件）或H01L（不屬于 H10 類的半導(dǎo)體器件），并滿足其他相關(guān)要求。